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6”,8”,12” N-Type SIC Substrates
SiC 기판 소재는 균일 에피택셜 성장, 웨이퍼 제조, 패키징 및 테스트 등의 공정을 거쳐 SiC 다이오드, SiC MOSFET 및 기타 전력 소자로 만들어집니다.
이러한 소자는 고온, 고전압, 고전류 등의 작동 환경에 적합하며, 신에너지 자동차, 충전기, 태양광 및 풍력 발전, 에너지 저장 장치, 철도 운송, 스마트 그리드, 산업용 전원 공급 장치, 산업용 구동 장치, 가전 제품 등 다양한 분야에서 널리 사용됩니다.
- Micropipe-free density control technics
- Low dislocation density control technics
- Low stacking faults density control technics
- Resistivity uniformity control technics
- Ultra thin substrate processing and flatness control technics
6”,8” Semi-insulating Substrate
반절연 SiC 기판은 높은 저항률을 가지며 주로 GaN 이종 에피택시에 사용됩니다.
HEMT로 대표되는 RF 소자는 SiC의 우수한 열전도율과 GaN의 고주파수 대역에서의 고출력 RF 출력을 결합하여 5G 기지국과 같은 차세대 통신 분야에 널리 응용되고 있습니다.
반절연 SiC 기판 소재는 또한 우수한 광학적 특성을 나타냅니다.
12인치 기판은 AR 안경과 같은 광학 및 웨어러블 전자 기기 분야에서 유망한 응용 가능성을 보여줍니다.
- Micropipe–free density control technics
- Monocrystalline control technics
- Inclusions control technics
- Resistivity control technics
- Impurity regulation and control technics
- Substrate step width control technics
- Substrate flatness control technics
SiC Ingot
고품질 전도성 SiC Seed 웨이퍼는 PVT(Public Vapor Treatment) 방식으로 성장됩니다.
이 웨이퍼는 외측 원형 압연, 단면 연삭, 평면 가공 등의 일련의 공정을 거쳐 고품질 SiC 단결정으로 가공됩니다.
단결정 잉곳은 기판 가공 및 생산에 중요한 원료입니다.
절단, 연삭, 연마 및 기타 가공 공정과 세척 공정을 거쳐 결함 밀도가 낮은 SiC 단결정 기판 제품을 제공해 드립니다.
- Strong large-scale production capacity to ensure product supply
- Industry-leading ingot quality, and strong process stability
- World-leading substrate quality and high crystal cost-effectiveness
Ceramics
파인 세라믹스(Fine Ceramics)는 고도로 정제된 화합물 원료를 사용하여 정밀한 공정을 통해 제조된 고기능성 소재입니다.
‘뉴 세라믹스’ 또는 ‘첨단 세라믹스’라고도 불리며, 전통적인 도자기나 유리와 달리 특수한 전기적, 기계적, 화학적 성질을 극대화하여 첨단 산업 전반에서 핵심 소재로 사용됩니다
- Alumina(Al2O3)
- Silicon Carbide(SiC)
- Aluminum Nitride(AlN)
- Zirconia(ZrO2)
- Yttria(Y2O3)
- Si3N4
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(대구가톨릭대학교)
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