Technology

극한의 고온 환경에서도 안정적인 성능 유지

전력의 흐름을 더 빠르고 안정적으로

Technology

1. 6”, 8”, 12” N-Type SiC Substrate

제품 개요

N-Type SiC Substrate는 고전압·고전력 반도체 소자 제작에 최적화된 전도성 실리콘카바이드 기판입니다. 우수한 열전도도와 높은 절연 파괴 전압, 낮은 결함 밀도를 바탕으로 전력반도체의 성능과 신뢰성을 높이는 핵심 소재입니다.

기술적 장점

고전압 소자 구현에 유리
SiC 소재 특성상 높은 항복전압을 지원하여 전기차, 충전 인프라, 산업용 전력변환 장치에 적합합니다.
열 방출 성능 우수
높은 열전도도를 기반으로 소자 동작 중 발생하는 열을 효과적으로 분산시켜 안정적인 성능 유지에 도움을 줍니다.
대구경 기판 기술 대응
6인치에서 12인치까지 확장 가능한 기판 기술을 통해 생산성 향상과 양산 경쟁력 확보가 가능합니다.
결함 제어 기술 적용
Micropipe, dislocation, stacking fault 등 결정 결함을 정밀하게 관리하여 소자 수율과 신뢰성을 높입니다.

주요 특징

6”, 8”, 12” 대구경 SiC 기판 대응
고전력·고주파 소자에 적합한 전도성 기판
낮은 Micropipe density 및 결정 결함 제어
우수한 두께 균일도와 평탄도
안정적인 저저항 특성 및 저항 균일성 확보

적용 분야

전기차 인버터, 급속 충전기, 태양광 인버터, 산업용 전원장치, 고전압 전력반도체, 고효율 파워 모듈

2. 6”, 8” Semi-Insulating SiC Substrate

제품 개요

Semi-insulating SiC Substrate는 높은 저항 특성과 우수한 결정 품질을 기반으로 RF, 고주파, 통신용 반도체 소자에 적합한 반절연 SiC 기판입니다. GaN-on-SiC 기반 고주파 소자 제작에 핵심적으로 사용됩니다.

기술적 장점

고주파 신호 손실 감소
높은 저항 특성을 통해 RF 소자에서 발생할 수 있는 전기적 손실을 줄이고 신호 품질을 향상시킵니다.
GaN 에피 성장에 적합
SiC의 열적 안정성과 격자 특성은 GaN 기반 고출력 RF 소자 제작에 유리합니다.
우수한 절연 안정성
불순물 및 저항 특성을 정밀하게 제어하여 고주파 환경에서도 안정적인 소자 동작을 지원합니다.
고출력 통신 소자 대응
5G·6G 통신, 레이더, 위성통신 등 고출력 RF 분야에 적합한 기판 솔루션을 제공합니다.

주요 특징

6”, 8” 반절연 SiC 기판 대응
높은 저항률과 우수한 절연 특성
RF 및 고주파 소자용 기판에 최적화
Monocrystalline 결정 제어 기술 적용
Inclusion 및 불순물 제어를 통한 품질 안정성 확보

적용 분야

RF 반도체, GaN-on-SiC 소자, 5G·6G 통신장비, 레이더, 위성통신, 방산용 고주파 모듈

3. SiC Ingot

제품 개요

SiC Ingot은 고품질 SiC Substrate 생산을 위한 핵심 원재료입니다. 결정 성장 기술, 불순물 제어, 결함 밀도 관리가 제품 품질을 결정하며, 이후 Wafer 가공 공정의 수율과 최종 소자 성능에 직접적인 영향을 줍니다.

기술적 장점

기판 품질의 출발점
Ingot의 결정 품질은 Wafer의 평탄도, 결함 밀도, 저항 균일성에 직접 연결됩니다.
고순도 결정 성장 기술
불순물 유입을 최소화하고 안정적인 결정 구조를 확보하여 고품질 SiC 기판 생산이 가능합니다.
대구경화 대응 가능
6”, 8”, 12”급 SiC Substrate 생산을 위한 기반 소재로 활용할 수 있습니다.
소자 신뢰성 향상
낮은 결함 밀도와 균일한 결정 품질은 전력반도체 및 RF 소자의 장기 신뢰성 확보에 기여합니다.

주요 특징

고순도 SiC 단결정 Ingot
N-Type 및 Semi-insulating 기판 생산 기반
결정 결함 및 불순물 제어 기술 적용
대구경 기판 생산을 위한 안정적 결정 성장
균일한 물성 확보를 통한 후공정 품질 향상

적용 분야

SiC Wafer 제조, 전력반도체용 기판, RF용 반절연 기판, 고전압 소자용 소재, 차세대 반도체 소재

4. Ceramics

제품 개요

첨단 세라믹 소재는 높은 내열성, 내마모성, 절연성, 내식성, 기계적 강도를 바탕으로 반도체·디스플레이·전력전자·정밀기계 분야에서 핵심 부품 소재로 사용됩니다. 사용 환경에 따라 Alumina, SiC, AlN, Zirconia, Yttria, Si3N4 등 다양한 소재 선택이 가능합니다.

세라믹 소재별 핵심 특징

소재	주요특징	강점	적용분야
Alumina Al₂O₃	범용성이 높은 산업용 세라믹	절연성, 내열성, 내마모성이 우수하여 다양한 산업 환경에 적용 가능	절연 부품, 구조 부품, 반도체 장비 부품
Silicon Carbide SiC	고열전도 절연 세라믹	우수한 방열 성능과 전기 절연성을 동시에 확보	방열 기판, 전력 모듈, LED 패키지
Aluminum Nitride AlN	고강도·고열전도 세라믹	내열성, 내식성, 열충격 저항성이 뛰어나 고온·고부하 환경에 적합	고온 부품, 반도체 공정 부품, 전력반도체 소재
Zirconia ZrO₂	고강도 질화물 세라믹	열충격 저항, 내마모성, 기계적 강도가 우수한 고내구 소재	베어링, 절연 방열 부품, 고내구 구조 부품
Yttria Y₂O₃	플라즈마 내식성 세라믹	반도체 플라즈마 공정 환경에서 높은 내구성과 안정성 제공	챔버 부품, 코팅 소재, 식각 장비 부품
Silicon Nitride Si₃N₄	고인성 세라믹	강도, 내마모성, 파손 저항성이 우수하여 정밀 부품에 적합	정밀 구조 부품, 베어링, 절삭·마모 부품

기술적 장점

우수한 내열성
고온 환경에서도 물성 변화가 적어 반도체 공정, 고온 장비, 전력전자 부품에 적합합니다.
높은 내마모성
금속 대비 마모에 강해 장시간 사용되는 정밀 부품의 수명 향상에 기여합니다.
뛰어난 전기 절연성
Alumina, AlN, Si3N4 등은 전기 절연성이 우수하여 전력 모듈 및 절연 부품에 적합합니다.
우수한 내식성
화학적 안정성이 뛰어나 부식성 가스, 플라즈마, 화학 공정 환경에서도 안정적으로 사용할 수 있습니다.
정밀 가공 대응
링, 플레이트, 디스크, 노즐, 절연 부품, 구조 부품 등 다양한 형상 제작이 가능합니다.

적용 분야

반도체 장비 부품, 디스플레이 장비 부품, 전력전자 방열 부품, 절연 부품, 플라즈마 공정 부품, 정밀 기계 부품, 고온·고내구 산업 부품

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(대구가톨릭대학교)
Tel : 053-214-9566
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